Disociación multifotónica láser con dos frecuencias para separación isotópica de Silicio

MATIAS RISARO; JORGE CODNIA; MARÍA L. AZCÁRATE; VIOLETA D'ACCURSO

Ciudad Autónoma de Buenos Aires

Workshop; XII Taller de óptica y fotonica (TOPFOT). VII Encuentro de estudiantes de óptica y fotonica (EEOF); 2016

Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires

Los isótopos de silicio son de interés para la industria de los semiconductores, debido a la mejora en las propiedades ópticas y de transporte que produce la utilización de 28Si de alta pureza. Uno de los métodos con alto potencial para la obtención de 28Si enriquecido es la Separación Isotópica por Láser (LIS, por sus siglas en inglés). En el presente trabajo se presentan los resultados preliminares de enriquecimiento isotópico de Silicio mediante la Disociación Multifotónica Infrarroja (DMFIR) con dos frecuencias. Esta técnica consiste en una primera etapa de excitación de la molécula de trabajo a los primeros niveles vibracionales seguida de una segunda etapa de disociación de la molécula excitada. Se utilizó SiF4 como molécula de trabajo. La experiencia se realizó en una cámara de alto vacío, con una válvula pulsada para el ingreso de la muestra. El sistema de detección y análisis de la muestra consiste en un espectrómetro de masas por tiempo de vuelo. La DMFIR con dos frecuencias se realizó con dos láseres TEA de CO2,mientras que para la ionización multifotónica de los fragmentos generados se utilizó la 4ª armónica de un láser de Nd:YAG (266 nm).Se optimizó el sistema variando el tiempo de retardo entre los láseres de excitación y disociación. Finalmente se presentan los resultados de la dependencia del rendimiento de la DMFIR con dos frecuencias con la energía de ambos láseres.