Enriquecimiento de isótopos de silicio

J. CODNIA; V. D'ACCURSO; M.L. AZCÁRATE

Congreso; 100ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2015

El silicio isotópicamente puro ha despertado el interés de la industria de los semiconductores dado que su utilización contribuiría a mejorar las propiedades ópticas y electrónicas así como la conductividad térmica de los dispositivos electrónicos. En particular, el Si-28 resultaría un sustrato ideal para el desarrollo de sistemas de información cuántica. La Disociación Multifotónica InfrarRoja (DMFIR) es un método de separación de isótopos con láser promisorio debido a la alta selectividad obtenida. En este trabajo se utilizó SiF4 como molécula de trabajo para el enriquecimiento isotópico de silicio por DMFIR en un jet molecular. Los experimentos se llevaron a cabo en una cámara de reacción de alto vacío con sendas ventanas para la transmisión de la radiación láser, una válvula pulsada para el ingreso de la muestra y un espectrómetro de masas de tiempo de vuelo como sistema de detección. La DMFIR se realizó con un láser de CO2 TEA y la ionización multifotónica de los fragmentos generados con la 4ª armónica de un láser de Nd:YAG (266 nm). Se estudió la influencia de la presión de la muestra, de la longitud de onda y la fluencia del láser de disociación así como de los retardos entre la inyección de la muestra, los pulsos de disociación y de ionización y la adquisición de la señal por el detector en los factores de enriquecimiento de los distintos isótopos.