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El seleniuro de cadmio es un compuesto semiconductor II-VI con un ancho de banda de energía prohibida de 1,67 eV (≈300 K) y un alto poder de frenado para la radiación nuclear. De estructura cristalina hexagonal (wurtzita), se lo utiliza en celdas solares, transistores, diodos emisores de luz, dispositivos electroluminiscentes, detectores de radiación nuclear a temperatura ambiente y dispositivos ópticos no lineales [1-6]. Se lo emplea también como sustrato para el crecimiento epitaxial de HgCdSe [7]. La calidad de los dispositivos que se fabrican con este material depende críticamente de sus propiedades. Nuestro trabajo se focalizó en el estudio de una oblea comercial de CdSe, adquirida en la empresa Cradley Crystals Inc. Para evaluar la calidad cristalina se combinaron diferentes técnicas. Dado que se lo utiliza como ventana óptica en el IR, se obtuvo el espectro de transmitancia óptica con un equipo FTIR (Perkin-Elmer System 2000). Para observar la distribución de las figuras de corrosión sobre la superficie de las muestras, se las revelaron químicamente. Se determinó la densidad de dislocaciones por conteo sobre las micrografías ópticas (Union Versamet 5279) mientras que la desorientación entre subgranos contiguos mediante la aproximación de Shockley - Read. El objetivo de este trabajo es evaluar la confiabilidad de las técnicas empleadas en la determinación de la calidad cristalina. Se pudo establecer que la solución de revelado fue sensible en la detección de defectos lineales y la calidad cristalina resultó adecuada para el uso de este material en la fabricación de dispositivos. La aplicación de la técnica de microscopía electrónica de transmisión confirmó estos resultados.