Sputtering reactivo de películas delgadas de AZO

VERA, CMC; MAIOCO, S; R ARAGÓN

Bariloche

Congreso; 98a Reunón Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2013

Asociación Física Argentina

Se depositaron películas delgadas de _oxido de zinc dopado con aluminio (AZO) a un 3,2% atómico, por ?sputtering? reactivo [1,2] de corriente continua, controlado por corriente de plasma, en atmósferas reactivas de argón y 9% oxígeno, controladas por controladores de flujo másico térmico, sobre substratos de vidrio, a partir de blancos metálicos de la aleación estequiométrica, fabricados con insumos nacionales. A una velocidad de deposición de 50 nm/min, se reconocen dos regímenes de deposición: inicialmente un proceso de nucleación y crecimiento favorece la deposición de láminas basales (002) de wurtzita, corroboradas por XRD, pero por encima de 250 nm, se pierde la orientación preferida y las películas evidencian dicroísmo. Los espesores admiten caracterización por reflectometría [3,4], pero la elipsometría evidencia despolarización, que requiere el uso de métodos generalizados, para caracterizar completamente la matriz de Müller de la película anisotrópica [5], lo que compromete la validez de los modelos de doble capa frecuentemente postulados para este tipo de películas [6,7,8], al interpretar resultados elipsométricos con vector de Jones, así como el significado físico de las constantes ópticas resultantes.   [1] M Suchea et al, Thin Solid Films 515 (2007) 6562 [2] CH Kolble et al, Thin Solid Films 518 (2009) 1204 [3] DA Minkov, J. Phys. D: Appl. Phys. 22 (1989) 1157 [4] T Gungor and B Saka, Thin Solid Films 467 (2004) 319 [5] HG Tompkins and EA Irene, Handbook of Ellipsometry (2005) Ed. Springer [6] MM. Abd El-Raheem et al, Advances in Materials and Corrosion 1(2012)14 [7] FK Shan et al, J. Korean Phys. Soc. 44 5 (2004) 1215 [8] C Besleaga et al, J. Phys. B 43 (2012) 165201