UNIDEF   23986
UNIDAD DE INVESTIGACION Y DESARROLLO ESTRATEGICO PARA LA DEFENSA
Unidad Ejecutora - UE
artículos
Título:
Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (004< x <0, 1)
Autor/es:
ANA MARÍA MARTÍNEZ; J.L.M. NUÑEZ GARCÍA; MYRIAM HAYDÉE AGUIRRE; E. HEREDIA; A. GERACI; A.B. TRIGUBÓ; R. D'ELÍA; A. TOLLEY
Revista:
REVISTA MATéRIA
Editorial:
UNIV FED RIO DE JANEIRO
Referencias:
Lugar: Rio de Janeiro; Año: 2018 vol. 23 p. 1 - 19
ISSN:
1517-7076
Resumen:
El Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) y el ZnTe son semiconductores de la familia II-VI, que se usan en forma monocristalina porque así poseen mejores propiedades estructurales y eléctricas. El CZT y el ZnTe deben poseer alta calidad cristalina y eléctrica para ser usados, el primero en detectores de rayos X y γ, y como sustratos ordenadores de películas epitaxiales aptas para la detección de la radiación IR y el segundo para la fabricación de diodos láser y emisores de luz de alta intensidad, ambos casos en el verde.En este trabajo el CZT se sintetizó por el método de Bridgman, bajo un gradiente de temperatura de 10ºC/cm a velocidades de 1,66 mm/h y 3,22 mm/h para diferentes concentraciones de Zn. Por otro lado, el ZnTe se sintetizó por transporte físico en fase vapor bajo un gradiente de temperatura de 6ºC/cm a una velocidad de6mm/día.Por medio de revelado químico y microscopía electrónica de transmisión convencional TEM y de alta resolución (HRTEM) se estudió la calidad cristalina de ambos materiales. Se observó que los lingotes de CZT tenían una densidad de dislocaciones promedio similar en todos los lingotes crecidos en ambasvelocidades y para todas las concentraciones mientras que el ZnTe mostró una menor densidad de dislocaciones. Las micrografías de TEM mostraron en todos estos materiales un orden estructural importante. Estas características indicaron que la calidad cristalina del CZT y del ZnTe era adecuada para fabricar dispositivos optoelectrónicos.También se midió la Conductividad Eléctrica, Difusividad Térmica, Calor Específico y Coeficiente Seebeck en función de la temperatura en estos materiales. Se analizó la influencia de las propiedades estructurales ensus propiedades físicas con el objeto de determinar la relación con los defectos cristalinos observados.Palabras clave: semiconductores monocristalinos II-VI, revelado químico, propiedades físicas, HRTEM, LRTEM.