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Elhidruro de magnesio (MgH2) es un buen candidato para almacenamientode hidrogeno debido a - entre otras propiedades - su bajo costo, disponibilidady no toxicidad. Sin embargo la energía de activación de la desorción cinéticade hidrogeno de este hidruro es relativamente alta [1]. Una alternativa esteinconveniente es la introducción de metales de transición o vacancias [2]. Elobjetivo de este trabajo es estudiar los cambios en la propiedades químicas yfísicas del hidruro cuando se introducen defectos cargados. En particularconsideraremos vacancia de hidrogeno (VH), vacancia de Magnesio (VMg) y la di vacancia (VH-Mg).Para cada clase de vacancia se tuvieron en cuenta tres posibles estados decarga (q = -1, 0 y +1). Los resultados muestran que la formación de VHes la mas estable. La reducción mas importante en el ?bandgap? se da para la VHcon cargada negativa y neutra (68.8% y 65.4% respectivamente). Para todos loscasos en estudio los cambio mas importante en la densidad de estados (DOS) sedan en la zona del ?bandgap?. Además para algunos de los casos la generacióndel defecto induce un momento magnético, siendo el mas importante el de lavacancia de magnesio positiva (0.74 mB).En general este hidruro es un semiconductor tipo p, pero en el caso de vacanciade H cargada negativa la aparición de estados trampa en la zona del ?bandgap?lo transforma en tipo n. Finalmente, de nuestros resultados se puede concluirque la introducción de defectos cargados al MgH2 mejora ladisociación de H y conduce a propiedades electrónica muy interesantes desde elpunto de vista tecnológico.