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En este resumen se muestra el transporte balístico de electrones sobre un capa de grafeno con impurezas en posiciones aleatorias, colocada entre dos monocapas de grafeno prístino. Se muestra que el coeficiente de transmisión de los electrones depende fuertemente de la concentración de impurezas y de la energía incidente. Se calcula la conductancia en función del voltaje aplicado para diferentes concentraciones de impurezas a través del formalismo de Landauer encontrándose resultados similares a otros trabajos experimentales. En el límite de voltaje aplicado nulo se encuentra un valor mínimo de conductancia que se hace cero para un alto número de concentración de impurezas, que a su vez desentrelaza los grados de libertad de las subredes de la estructura cristalina del grafeno. Los resultados encontrados pueden contribuir a la exploración de los mecanismos de efecto túnel para los electrones a través de junturas de grafeno dopado y grafeno prístino.