ESTRUCTURA ELECTRÓNICA Y ENLACE DE LA ALEACIÓN FeSiAl DO3

V. CARDOSO SCHWINDT; V. ORAZI; E. A. GONZÁLEZ; A. JUAN; P.V. JASEN

Mar del Plata

Congreso; X Reunion Anual de Cristalografía; 2014

Reunion Anual de Cristalografía

La estructura electrónica y el enlace químico en la aleación FeSiAl en estructura DO3 [1] es estudiada mediante cálculos a nivel del funcional de la densidad. Se utiliza el paquete VASP con las aproximaciones GGA y PBE y una energía de corte de 700 eV. Los aceros aleados con Si tienen importantes propiedades magnéticas, en particular la aleación citada es utilizada debido a su menor momento magnético, comparado con Fe bcc puro y su potencial uso como blindaje en la atenuación de señales de radiofrecuencia (1-4 GHz). Se calcula la estructura de bandas y se la descompone en las contribuciones de subredes de Fe, Si y Al y se la compara con las correspondientes a Fe bcc. Se computa la estructura electrónica mediante la densidad de estados (DOS) y DOS proyectada. El enlace químico Fe-Fe, Fe-Si y Fe-Al se analiza mediante el análisis de la curvas de población de solapamiento de orbitales cristalinos (COOP). La celda unidad se muestra en la figura 1(a) y la estructura de bandas, solo para las contribuciones de "spin up", en la figura 1(b). Se observa que la contribución de Fe más importante esta en la región entre EF y -6 eV, la de Si alrededor del nivel de Fermi y la de Al por debajo del nivel de Fermi. El momento magnético para los átomos de Fe es 1.66μB, lo cual resulta inferior al valor de Fe bcc que es de 2.24μB, y representa una disminución del 25.9%. La DOS Total muestra estados hibridizados por debajo del nivel de Fermi hasta casi los 11 eV. Las curvas de "spin up/down" muestran una contribución asimétrica lo cual es indicativo de un comportamiento magnético como se ha reportado en la literatura [2,3]. [1] T.D. Zhou, L.J. Deng, D.F. Liang Acta Metall Sin. (Engl. Lett.), 21 (2008) 191?196. [2] E. Legarra, E. Apiñaniz, F. Plazaola, J.J.S. Garitaonandia, J. Magn. Magn. Mater. 316 (2007) e470. [3] X.G. Ma, J.J. Jiang, S.W. Bie, L. Miao, C.K. Zhan, Z.Y. Wang, Intermetallics 18 (2010) 2399-2403.