IMIT   21220
INSTITUTO DE MODELADO E INNOVACION TECNOLOGICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Conductividad Efectiva en Películas Delgadas de Silicio Poroso Nanoestructurado
Autor/es:
G. P. ORTIZ; L.A.VALDEZ; G.E.LÓPEZ; B.S. MENDOZA; W.L. MOCHÁN
Lugar:
Malargue, Mendoza
Reunión:
Congreso; 95 Congreso Nacional de Física; 2010
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
En este trabajo empleamos un método recientemente reportado para calcular la conductividad eléctrica efectiva de un sistema compuesto nanoestructurado en la aproximación de longitud de onda larga. Consideramos primero dos tipos simples de red periódica para representar la morfología de un sistema compuesto por Silicio crsitalino y Poros. Suponemos que los poros son columnaresy el sistema tiene simetría de traslación en la dirección de los ejes de las columnas, por lo que pueden ser bién representados por un arreglo bidimensional de discos circulares. Encontramos que la conductividad tanto como las propiedades ópticas pueden ser controladas mediante la fracción de llenado de poros (porosidad) y el arreglo espacial de los mismos. Esto se debe a la transición de conductor a aislante del sistema cuando atraviesa por el punto de percolación de fases. El mismoresultado se verifica para el caso desordenado sin correlación entre las posiciones de los poros.