INTEQUI   20941
INSTITUTO DE INVESTIGACIONES EN TECNOLOGIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio de la asimetría de los picos de rayos X característicos registrados por un detector de Si(Li)
Autor/es:
A. C. CARRERAS; J. TRINCAVELLI; R. BONETTO; S. LIMANDRI
Lugar:
Salta - Argentina
Reunión:
Congreso; 92a Reunión Anual de la Asociación Física Argentina; 2007
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
La asimetría de los
picos de rayos X característicos obtenidos con un detector de Si(Li) se debe
principalmente a la colección incompleta de las cargas producidas en el cristal
de silicio por los fotones incidentes. Las impurezas y los defectos de la estructura
cristalina del silicio pueden actuar como trampas para los portadores de carga.
Por lo tanto, para un dado fotón incidente, la carga colectada y
consecuentemente la energía detectada puede ser menor que la esperada. El
efecto global es que los picos presentan una cola hacia el lado de bajas
energías. Este efecto está relacionado con el tiempo de procesamiento en la
cadena de detección y con el espesor de la capa del semiconductor parcialmente
activa para la detección. En este trabajo se estudió la dependencia de la
asimetría de los picos con estos dos parámetros, en experimentos de
microanálisis con sonda de electrones (EPMA). Para estudiar la influencia del
tiempo de procesamiento se midieron espectros de una misma muestra variando el
peaking time del sistema de detección.
La influencia del espesor
efectivo de la capa parcialmente activa se estudió variando el ángulo de
la colección mediante cambios en la geometría experimental. Los espectros
fueron procesados con un programa de optimización de parámetros desarrollado
para EPMA, que modela la asimetría de los picos característicos mediante dos
parámetros. Los resultados obtenidos
son de importancia para la cuantificación sin estándares en EPMA.