Cinética de la Cloración de GaAs

F. M. TÚNEZ; J. A. GONZÁLEZ; M. DEL C. RUIZ

San Nicolás, Buenos Aires

Congreso; SAM-CONAMET 2007. 7° Congreso de Metalurgia y Materiales; 2007

Sociedad Argentina de Materiales

Los compuestos de galio, GaAs y GaP, son ampliamente utilizados en la industria electrónica. Su aplicación en diodos de emisión de luz, lasers, circuitos integrados, etc. aumenta día a día. El galio se encuentra en baja concentración en la corteza terrestre  16ppm. aproximadamente, no es contenido en ningún mineral especifico y su principal fuente esta dada como subproductos de la obtención de aluminio y de cinc. Debido a su creciente demanda y a su baja producción a partir de recursos naturales, se hace necesario su recuperación desde los desechos electrónicos. El uso de la cloración como método de recuperación de Ga a partir de GaAs es una técnica económica y eficiente. En el presente trabajo se muestran los resultados del estudio cinético de la cloración de GaAs usando gas cloro puro como agente clorante y nitrógeno como gas de dilución y purga. El rango de temperaturas estudiado fue entre –30ºC y 85ºC y el de presiones parciales de cloro varió entre 0,2 y 1atm. Se encontró que en una primera etapa se produce la adsorción del cloro sobre la superficie del sólido y luego ocurre la reacción química,  formándose GaCl3 y AsCl3. La cinética de reacción responde a un mecanismo de adsorción con un ajuste tipo Langmuir. También se observó que en el rango de temperaturas estudiado el sistema es altamente reactivo y la velocidad de reacción presenta poca variación con la temperatura y una gran variación con la presión parcial de cloro. Cabe mencionar que el rango de temperatura investigado la evaporación de los cloruros formados depende de la temperatura de trabajo.