Charla: Crecimiento de películas ultradelgadas de aisladores sobre una superficie metálica: AlF3 sobre Cu(100)

MORENO LÓPEZ, J.C.; RUANO, G.; VIDAL, R.A.; PASSEGGI (H), M.C.G.; FERRÓN, J.

San Carlos de Bariloche (Río Negro), 11-14 Mayo

Encuentro; NANO2010, X Encuentro CNEA Superficies y Materiales Nanoestructurados 2010; 2010

Centro Atómico Bariloche - CNEA

En este trabajo caracterizamos el crecimiento de películas de fluoruro de aluminio (AlF3) sobre Cu(100) mediante la técnica de microscopia túnel de barrido (STM). Las imágenes túnel muestran que a medida que van creciendo en tamaño las islas de fluoruro de aluminio, éstas experimentan una transición en su forma a bajos recubrimientos, de compacta a fractal (ramificada). Las islas de forma ramificada crecen lateralmente formando una película bidimensional hasta un recubrimiento de 0.80 monocapas. A mayores recubrimientos el crecimiento del tipo 2D cambia a 3D. Para obtener las imágenes túnel fue necesario utilizar altos voltajes (V > 2.50 V) lo cual muestra el carácter aislador de las islas de fluoruro de aluminio. En esta oportunidad se presentara un resumen de los resultados recientemente publicados en Phys. Rev. B 81 (2010) 075420. Expuso: MORENO LÓPEZ, J.C.