Estudio estructural del sistema Snx(Sb0.70)Te0.30)100-x con x=0, 2.5, 5 y 7.5

M.A. UREÑA; M. FONTANA; J.ROCCA; V. BILOVOL; O. RODRÍGUEZ CUELLAR; B. ARCONDO

Buenos Aires

Jornada; 103º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2018

Los vidrios calcogenuros (VC) (solidos amorfos que tienen como componente mayoritario: S, Se, Te) sonunos de los candidatos como material sensible en las memorias del tipo PCM. Aleaciones tales como Ge-Sb-Te,exhiben transformaciones de fase rapidas y reversibles (conmutacion) entre los estados cristalinos y amorfos conpropiedades muy diferentes. La fase amorfa se caracteriza por una alta resistividad electrica y la fase cristalina poruna resistividad mucho mas baja. La introduccion de metales tales como esta~no en los vidrios calcogenuros aumentala velocidad de transformacion de fase y la conductividad electrica inuyendo en los voltajes de conmutacion[Ora15] y mejorando as el desempe~no de las memorias PCM. Por lo tanto el estudio de la estructura de estossistemas permite el dise~no de materiales con mejores propiedades para su aplicacion a estos dispositivos En estede trabajo analizaremos la estructura de muestras del sistema Snx (Sb0;70Te0;30)100􀀀x con x=0, 2.5, 5 y 7.5 conel objeto de estudiar las fases que cristalizan y obtener informacion de la ubicacion del Sn en las mismas. Losmateriales fueron obtenidos a partir de los elementos puros en ampollas de cuarzo cerradas en vaco y tratadastermicamente durante 8 hs a 800 C. La composicion de las mismas fue conrmada por EDS. Las muestrasse caracterizaron estructuralmente por difraccion de rayos X (XRD) con radiacion K(Cu) y espectroscopaMossbauer con la fuente radiactiva 119Sn para extraer una informacion adicional acerca del atomo Sn en lamatriz de Sb-Te a traves de las interacciones hipernas que el esta~no tiene con su entorno. El estado de oxidacionde Sn en todas las muestras estudiadas fue +2.[Ora15] J. Orava , D. W. Hewak , A. L. Greer, Adv. Funct. Mater. 25 (2015) 4851-4858