Caracterización corriente-tensión de películas delgadas de Sb-Te para evaluar su utilización en como memorias de cambio de fase

BILOVOL V; ARCONDO, B.; BARBON CLAUDIO; MESAROS M.

Beriso

Encuentro; NANO 2018; 2018

Y-TEC

La capacidad para almacenar la información ha sido un aspecto importante del desarrollo humano. En la actualidad somos testigos del desarrollo de una gran cantidad de nuevos materiales y dispositivos para el almacenamiento de enormes cantidades de datos. Uno de los candidatos más destacados son las memorias no-volátiles de cambio de fase. El fundamento de estas memorias reside en el cambio de resistencia eléctrica y ya no en el almacenamiento de carga.Un material de cambio de fase es uno que, preparado en forma de película, mediante la acción de pulsos eléctricos, puede transformarse en forma reversible y reiteradamente, entre dos fases con propiedades notablemente diferente, una cristalina y una amorfa. La fase amorfa presenta una gran resistencia a la corriente eléctrica, y por su parte, la fase cristalina una resistividad baja.En este trabajo se presentan los resultados de la caracterización eléctrica de tres películas delgadas de Sb-Te con distintas composiciones: Sb2Te, Sb4Te y Sb7,4Te92,6 , siendo esta última de composición eutéctica. Se observó, en las curvas I-V de estas películas, el mismo comportamiento característico [1] (forma tipo S) de los materiales utilizados como memoria. Para obtener dichas curvas, se realizaron mediciones controlando la tensión (generador de voltaje con pulso triangular) y midiendo la corriente resultante; como así también controlando la corriente (generador de corriente con un pulso senoidal) y se registró la tensión que se desarrollaba en la película.En las películas Sb2Te y Sb4Te se observó el parámetro característico de este tipo de memorias denominado voltaje de umbral Vth, con valores entre 2 V y 3.5 V; valores que se corresponden con los registrados en otras publicaciones. Para la muestra eutéctica Sb7.4Te92.6 se demostró que también presenta características adecuadas para su utilización como memoria, comparables con las de otras composiciones de referencia como Ge2Sb2Te5. Su valor de Vth promedio fue de 1.5 V y, hasta el presente, esta composición no se encuentra reportada en la bibliografía.