Mecanismos de conducción pre-umbral en materiales para memorias no volátiles

JUAN MANUEL CONDE GARRIDO; JOSEFINA M. SILVEYRA; GREG SLOVIN; MIN XU; ABHISHEK SHARMA; JAMES BAIN

Merlo, San Luis

Congreso; 100º Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2015

En los últimos años, la comunidadcientífica y tecnológica ha destinado enormes esfuerzos para desarrollardispositivos que superen las prestaciones de las actuales memorias FLASH. Entrelas distintas tecnologías investigadas, las más prometedoras son lasrelacionadas con memorias resistivas, ya sean R-RAM (Resistive Random-Access Memory) o PC-RAM/PCM (Phase Change Memory), en donde el dispositivo puede ser conmutadode un estado de alta resistencia a un estado de baja resistencia, y viceversa.El mecanismo de conmutación (switching) más utilizado consiste en laaplicación de pulsos de tensión muy breves para llevar al dispositivo de unestado de resistencia a otro. Dichos pulsos deben ser de una tensión mayor a latensión umbral (threshold voltage)característica del dispositivo.En los circuitos modernos, la altadensidad de dispositivos implica que la operación sobre uno de estosdispositivos someterá a tensiones secundarias a todos los dispositivosaledaños. Por lo tanto, el valor de tensión umbral es de suma importancia, puesgarantiza que, mientras las tensiones aplicadas al dispositivo sean menores ala umbral, éste mantendrá su estado. Es por este motivo que el estudio de laspropiedades de conducción pre-umbral en materiales para memorias no volátilescontinúa siendo un tema de suma importancia.En este trabajo, explicamos lasdistintas teorías de conducción pre-umbral, las corrientes en función de latensión aplicada predichas y comparamos las teorías con resultadosexperimentales.