INTECIN   20395
INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG"
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Fabricación y caracterización de películas delgadas de Ge-Sb-Te
Autor/es:
J.L.GARCIA; S.BARROS; M.A. UREÑA; M. FONTANA; B. ARCONDO
Lugar:
Tandil
Reunión:
Jornada; 99º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2014
Resumen:
El sistema GeSbTe es, hoy día, ampliamente estudiado para su utilización en el ámbito de las memorias no volátiles, tanto eléctricas como ópticas. Su principio de funcionamiento se basa en aprovechar los cambios en sus propiedades físicas (conductividad eléctrica o índices de refracción) que presentan al estar en estado amorfo o cristalino y la alta estabilidad que presentan en ambos estados, además de la relativa facilidad con la que se logra dicho cambio de fase cuando son preparadas en forma de película delgada. En este trabajo, se presenta la fabricación de películas delgadas de este sistema en las composiciones Ge13Sb5Te82, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5 y Ge1Sb4Te7 con el objetivo de estudiar su comportamiento eléctrico. Las películas se obtuvieron por la técnica de ablación láser (PLD), empleando un láser pulsado Nd:YAG láser (λ = 355 nm), y fueron caracterizadas estructuralmente por difracción de rayos X. Se estudió la dependencia de  la resistencia eléctrica de las películas en función de la temperatura desde temperatura ambiente hasta 520 K.  Los calentamientos se realizaron  con una velocidad aproximada de 2 K/min utilizando un horno de lámparas. Durante la cristalización, la resistencia eléctrica de las películas cae varios órdenes de magnitud en un rango estrecho de temperaturas. Se determinaron las energías de activación para la conducción eléctrica de los estados amorfo y cristalino, la temperatura de cristalización y la evolución temporal de la fracción transformada. Los productos de cristalización fueron caracterizados por difracción de rayos X. Los resultados son comparados con los obtenidos por otros autores.