INTECIN   20395
INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG"
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Fabricación y caracterización de películas delgadas de Ge-Sb-Te
Autor/es:
J.L.GARCIA; S.BARROS; M.A. UREÑA; M. FONTANA; B. ARCONDO
Lugar:
Tandil
Reunión:
Jornada; 99º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2014
Resumen:
El sistema GeSbTe es, hoy día, ampliamente estudiado para su utilización en
el ámbito de las memorias no volátiles, tanto eléctricas como ópticas. Su
principio de funcionamiento se basa en aprovechar los cambios en sus
propiedades físicas (conductividad eléctrica o índices de refracción) que
presentan al estar en estado amorfo o cristalino y la alta estabilidad que
presentan en ambos estados, además de la relativa facilidad con la que se logra
dicho cambio de fase cuando son preparadas en forma de película delgada.
En este trabajo, se presenta la
fabricación de películas delgadas de este sistema en las composiciones Ge13Sb5Te82, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5 y Ge1Sb4Te7 con
el objetivo de estudiar su comportamiento eléctrico. Las películas se
obtuvieron por la técnica de ablación láser (PLD), empleando un láser pulsado
Nd:YAG láser (λ = 355 nm), y fueron caracterizadas estructuralmente por
difracción de rayos X. Se estudió la dependencia de la resistencia eléctrica de las películas en función
de la temperatura desde temperatura ambiente hasta
520 K. Los calentamientos se
realizaron con una velocidad aproximada
de 2 K/min utilizando un horno de lámparas.
Durante la cristalización, la resistencia eléctrica de las películas cae
varios órdenes de magnitud en un rango estrecho de temperaturas. Se
determinaron las energías de activación para la conducción eléctrica de los
estados amorfo y cristalino, la temperatura de cristalización y la evolución
temporal de la fracción transformada. Los productos de cristalización fueron caracterizados
por difracción de rayos X. Los resultados son comparados con los obtenidos por
otros autores.