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Los semiconductores magnéticos diluidos (DMS) han atraído el interés de los investigadores en ciencias de los materiales una gran variedad de actividades de investigación debido a su gran potencial como componente material fundamental para los dispositivos de espintrónica. Estos materiales, en el que un dopante tal como un metal de transición sustituye en una pequeña fracción a un elemento receptor en la red del semiconductor, exhiben ferromagnetismo y por lo tanto poseen aplicabilidad potencial en espintrónica. Para obtener un conocimiento mecánico-cuántico de la estructura electrónica y de spin del sistema hemos realizado cálculos ab-initio de energía total en SnO2:MT (MT = V, Cr, Mn, Fe, Co). Se utilizó el programa SIESTA para realizar los cálculos, este usa combinación lineal de orbitales electrónicos en el espacio real como base, y pseudopotenciales que conservan la norma para aproximar los potenciales atómicos. La aproximación de gradiente generalizado (GGA) se usa para describir la interacción de intercambio de correlación entre los electrones. La estabilidad de la fase ferromagnética, el efecto del dopaje en la densidad de estados electrónicos y las modificaciones estrucutrales de los semiconductores magnéticos basados en SnO2.