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Recientemente se ha demostrado que la deposición por laser pulsado (PLD) es un proceso rápido que permite obtener unas pocas capas de grafeno sobre diferentes sustratos [1,2] resultando de interés el estudio de la influencia del substrato en las propiedades electrónicas y de transporte del grafeno [3]. La técnica consiste en realizar un depósito inicial de un metal que actúa como catalizador (Ni, Cu, Pt, Co) sobre el cual se deposita posteriormente carbono. La condición necesaria es que la película del metal catalizador, sea bien uniforme, homogénea y con tamaños de granos extensos de manera de obtener posteriormente grandes laminas de grafeno. En este trabajo se muestran los resultados obtenidos para depósitos de Ni y Cu sobre substratos de Si y SiO2 a temperatura ambiente, variando el tiempo de deposición. Para realizar los depósitos se utilizó un sistema de PLD que consta de una láser Nd:YAG con longitud de onda de 1064 nm y con una frecuencia de pulsos de 10 Hz. Todos los experimentos fueron realizados a una presión de 1x10−5 torr y para lograr una buena uniformidad de los depósitos tanto al blanco como al sustrato se los hace rotar durante los procesos de ablación-deposición. Los depósitos fueron realizados variando la fluencia láser entre 1 y 8 J/cm2. La caracterización estructural de las películas delgadas fue realizada por microscopía óptica y microscopia electrónica de barrido (SEM). Posteriormente se realizaron depósitos de carbono sobre estas películas de Ni o Cu. Estas muestras fueron luego calentadas a 600, 800 y 1000 0C. A partir de las imágenes SEM se observa la influencia del calentamiento en la estructura de la película delgada de Ni formada. Mientras que un calentamiento a 600 °C da lugar a la formación de estructuras bien cristalinas con bordes definidos, el calentamiento a 1000°C produce estructuras sin bordes tipo gotas.