Siıntesis de multicapas de grafeno por PLD

SORIA, F.A.; FOA TORRES, L.; OLIVA, M.I.

Cordoba

Congreso; Nanocordoba 2014; 2014

Universidad Nacional de Cordoba

La posibilidad de aprovechar prácticamente todas las propiedades del grafeno, depende directamente de una técnica de producción óptima y controlable. El método inicial y ampliamente difundido de obtención del grafeno es la micro exfoliación[1]. Actualmente existen otras técnicas tales como: descomposición térmica de un material que contenga carbono[2], por grafitización de carbono amorfo [3], segregación de carbono a partir de sustratos como SiC [4], deposición química en fase vapor (CVD), la cual permite obtener grafeno de alta calidad [5]. Sin embargo, se ha demostrado que la deposición por láser pulsado (PLD) es un proceso rápido que permite obtener unas pocas capas de grafeno sobre diferentes sustratos [6]. La técnica consiste en realizar un depósito inicial de un metal que actúa como catalizador (Ni, Cu, Pt, Co) sobre el cual se deposita posteriormente carbono amorfo. Posteriormente mediante un calentamiento en vacío o en atmósfera inerte se produce las multicapas de grafeno. La ventaja de la técnica radica en que se puede manejar la cantidad de carbono amorfo depositado y de esta manera la cantidad de capas de grafeno. En el trabajo se muestran los resultados de la s´ıntesis de multicapas de grafeno sobre diferentes sustratos (SiO2 y Si(100)). La caracterización se realizó por espectroscopia Raman y por SEM. Se analiza el efecto de la atmósfera de deposición, la temperatura y tiempo de calentamiento de las muestras. Del análisis de los espectro Raman se deduce que la formación de las multiplicas de grafeno es fuertemente dependiente de la temperatura de deposición de Ni y la atmósfera de deposición. Las mejores capas obtenidas se obtuvieron en atmósfera de Ar. Esto se visualiza en una banda 2D más estrecha en comparación con las capas realizadas solo en vacío. En estas ultimas se observa la presencia de oxido de grafeno. Referencias [1] Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorieva I. V., Firsov A. A., Science 306, 666 (2004). [2] Li X., Cai W., An J., Kim S., Nah J., Yang D., Piner R., Velamakanni A., Jung I., Tutuc E., Banerjee S. K.,Colombo L., Ruoff R. S., Science 324, 1312 (2009). [3] Zheng M., Takei K., Hsia B., Fang H., Zhang X., Ferralis N., Ko H., Chueh Y. L., Zhang Y., Maboudian R., Javey A., Appl. Phys. Lett. 96, 063110 (2010). [4] Berger C., Song Z., Li T., Li X., Ogbazghi A. Y., Feng R., Dai Z., Marchenkov A. N.,Conrad E. H., First P.N., de Heer W. A., J Phys. Chem. B 108, 19912(2004). [5] Wei D., Liu Y., Wang Y., Zhang H., Huang L., Yu G., Nano Lett., 9, 1752 (2009). [6] Hemani, G.K., Vandenberghe, W.G., Brennan, B., Chabal, Y.J., Walker, A.V., Wallace, R.M., Quevedo-Lopez, M., Fischetti, M.V. Appl. Phys. Lett. 103, 134102, 2013.