IFEG   20353
INSTITUTO DE FISICA ENRIQUE GAVIOLA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Caracterización de la interfase Ti/TiO2/HClO4 por Voltametría Cíclica (CV), Espectroscopía de Impedancia Electroquímica (EIS) y Microscopía de Fuerza Atómica (AFM)
Autor/es:
FILIPPIN F.A.; ELIZABETH SANTOS; LUCÍA BERNARDITA AVALLE
Lugar:
Tandil
Reunión:
Congreso; 99ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2014
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
El sistema investigado consiste en peículas delgadas de óxido de titanio sobre substratos de vidrio/titanio. El TiO2 fue obtenido electroquímicamente mediante barridos lineales de potencial en soluciones 10 mM de HClO4 a diferentes potenciales finales (EFinal). Las propiedades dieléctricas de las pelíulas de óxido formado hasta EFinal= 0,8; 1,0; 1,2; 1,4; y 1,5 V, fueron caracterizadas por EIS en presencia y en ausencia de oxíeno disuelto en la solución (O2 (ac)). Se determinó la parte real e imaginaria de la impedancia en funció de la frecuencia a diferentespotenciales de electrodo para los diferentes espesores de óxido anódico. Los gráficos de impedancia obtenidos a los diferentes EFinal muestran marcados cambios con la presencia de O2 (ac) principalmente en el intervalo de bajas frecuencias (0,1 Hz a 500 Hz). Se utilizó un circuito equivalente formado por una resistencia y una capacidad conectados en paralelo entre si y en serie con la resistencia de la solución. Las curvas corriente-potencial obtenidas a diferentes velocidades de barrido muestran una respuesta la cuál puede ser asociada a la adsorción del oxígeno sobre la superficie del electrodo, para todos los espesores estudiados. Utilizando la técnica de AFM se escanearon diferentes zonas de las muestras. Se obtuvieron imágenes de 70 x 70 μm y 10 x 10 μm. El óxido anódico en la regióon de la interface presenta una mayor rugosidad comparada con la rugosidad en zonas con por lo menos más de 10 μm sumergidas en el electrolito. La rugosidad del óxido anódico disminuye cuanto mayor es el valor de EFinal