(Charla) Bombeo adiabático de carga y espín inducido por interacción electrónica en un punto cuántico

HERNAN L. CALVO

Encuentro; XIV Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2014

La generación de una corriente dc en un sistema mesoscópico está usualmente asociada al voltaje (bias) aplicado entre los contactos hacia los reservorios. Como alternativa, el transporte puede lograrse incluso en ausencia de un bias externo por medio de una variación dependiente del tiempo de algunos parámetros del sistema. Cuando esta modulación es lenta comparada al tiempo de permanencia de los electrones, el mecanismo de transporte se identifica con el bombeo adiabático. En este trabajo, discutimos bombeo adiábatico de carga y espín en un punto cuántico a voltaje bias finito. Debido a la fuerte repulsión entre los electrones localizados en el sistema y al acople débil hacia los electrodos, los portadores de carga son transferidos "uno por uno", y el transporte puede bloquearse completamente a voltajes bajos (régimen de bloqueo de Coulomb). Bajo este escenario, identificamos coeficientes de respuesta a la modulación cíclica de parámetros del sistema y los relacionamos con el concepto de emisividad. Expresados en términos de campos vectoriales auxiliares, estos coeficientes permiten analizar en forma directa el bombeo inducido por la interacción Coulombiana y, en general, nos brindan información inherente al sistema como, por ejemplo, la intensidad de la interacción, la degeneración de los niveles electrónicos o la asimetría en las junturas túnel a los electrodos. Extendemos esta "espectroscopía adiabática" al transporte de espín y discutimos la posibilidad de obtener bombeo puro de espín inducido por la interacción.