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Las imágenes obtenidas mediante microscopía electrónica de barrido (SEM) están formadas por electrones secundarios de baja energía (del orden de los eV) y por electrones retrodispersados de alta energía (del orden de los keV). Para evitar efectos de carga eléctrica en materiales aislantes que desean ser observados mediante SEM suele recubrirse las muestras con una delgada capa conductora; sin embargo, este recurso muchas veces modifica dramáticamente la superficie que desea estudiarse. Por este motivo resulta de particular importancia el estudio de los coeficientes de electrones secundarios, ya que los efectos de carga pueden minimizarse operando con una energía incidente para la cual la suma de estos coeficientes sea igual a 1. El conocimiento de esta energía de corte y del comportamiento de los coeficientes mencionados son la base para controlar los efectos de carga a través de una adecuada elección de la energía y del ángulo de inclinación de la muestra. Trabajamos con cuatro materiales (C, Si, Cu, Au), en un rango de energía empezando en 15 keV y disminuyendo hasta alcanzar los 0.02 keV; el equipo empleado es un microscopio electrónico FE-SEM marca Carl Zeiss (LAMARX). Para cada una de las energías consideradas, medimos la corriente en la muestra y la corriente del haz (esta última utilizando una copa de Faraday). Esto nos permitió obtener los coeficientes de electrones secundarios y retrodispersados para cada valor de energía. El objetivo es determinar experimentalmente el valor de la energía de corte para establecer, de acuerdo a la composición de la muestra, las condiciones más favorables. Mediante simulación Monte Carlo obtuvimos los coeficientes de electrones retrodispersados para los cuatro materiales en el rango de energía de interés. De esta manera determinamos los coeficientes de electrones secundarios, restándole a los valores experimentales los conseguidos mediante simulación Monte Carlo.