IFEG   20353
INSTITUTO DE FISICA ENRIQUE GAVIOLA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Caracterización de films de ZnO crecidas por deposición de láser pulsado (PLD)
Autor/es:
OLIVA, M.I.; ZANDALIZINI, C. I.; CUELLO, N.I.; FERRERO, J. C.; VALENTINUZZI, M.C.
Lugar:
La Falda, Córdoba
Reunión:
Encuentro; XII Encuentro "Superficies y Materiales Nanoestructurados"; 2012
Resumen:
El óxido de cinc (ZnO) es el un material que exhibe múltiples propiedades como semiconductor, piezoeléctrico, y piroeléctrico [1]. Es ampliamente estudiado por sus propiedades ópticas, entre las que se encuentra su energía de banda prohibida, gap, entre 3.1-3.4 eV a temperatura ambiente. En general cristaliza en estructura hexagonal (wurzita) perteneciente al grupo de simetría C3v y está clasificado como un oxido semiconductor II-VI. Su estructura está compuesta por planos monoatómicos de coordinados tetraédricamente que se alternan a lo largo del eje de simetría hexagonal. Estos planos son los que originan las superficies polares, momento dipolar y polarización espontanea a lo largo del eje c. Es transparente en la región visible del espectro y posee alta movilidad electrónica, lo que permite su utilización como electrodo transparente entre otras. En este trabajo se presentan resultados de la caracterización cristalográfica,mediante difracción de RX (XRD), resultados de microscopía SEM y espectroscopia Raman, de films de ZnO obtenidos por ablación láser pulsada(PLD), sobre un substrato de vidrio, empleando diferentes fluencias. Se observó que por debajo de una fluencia umbral se obtienen depósitos amorfos y que superada esta, el film de ZnO cristaliza con una orientación preferencial en la familia de planos (002) (004). También se observa una dependencia de la rugosidad, de los films obtenidos, con la fluencia durante el proceso de deposición. Referencias [1] L. Znaidi, Mat. Sci. Eng. B 174 (2010) 18. [2] S.Liang,H.Sheng,Y.Liu,Z.Huo,Y.Lu,H.Shen,J.Cryst.Growth225(2001) 110. [3] S.T.Shishiyanu,T.S.Shishiyanu,O.I.Lupan,SensorsActuatorsB:Chem.107 (2005) 379. [4] O.Kluth,G.Sch¨ ope, J.H¨ upkes, C.Agashe,J.M¨ uller, B.Rech,Thin Solid Films 442 (2003)80.