IFLP 13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
?Magnetismo en óxidos no magnéticos. Efecto de la temperatura y presión de hidrógeno sobre las propiedades estructurales, ópticas y magnéticas del TiO2
Autor/es:
O. VÁZQUEZ ROBAINA; M. MEYER; C. E. RODRÍGUEZ-TORRES; R. M. ROMANO; A. F. CABRERA; A. FUNDORA CRUZ
Lugar:
San Carlos deBariloche
Reunión:
Congreso; XV Reunión Anual de la Asociación Argentina de Cristalografía; 2019
Institución organizadora:
Asociación Argentina de Cristalografía
Resumen:
El descubrimiento de magnetismo en materiales no magnéticos que contienen defectosha desafiado el pensamiento convencional sobre el origen microscópico del magnetismoen general. La observación del fenómeno en óxidos no magnéticos, como ZnO, TiO 2 , SnO 2 ,HfO 2 , etc. [1-5] ha dado lugar a una nueva área de investigación enfocada en elmagnetismo inducido por defectos. Existe evidencia de que el ferromagnetismo en estossistemas es un fenómeno complejo el cual involucra la interacción entre vacancias deoxígeno y/o catiónicas, formación de defectos complejos, impurezas dopantes y susefectos sobre la densidad y localización de los portadores de carga [6]. Esteferromagnetismo emergente en óxidos no dopados es a menudo llamado?ferromagnetismo d 0 ?, donde se cree que los defectos son responsables de iniciar lahibridación a nivel de Fermi y establecer un ferromagnetismo de largo alcance [7].En el presente trabajo se presentan resultados sobre el comportamiento magnético, laspropiedades estructurales y ópticas del TiO 2 tratado a distintas temperaturas, presionesde hidrógeno (20-40 atm) y vacío. Las muestras fueron analizadas mediantemagnetometría de muestra vibrante (VSM) y SQUID, difracción de rayos X (DRX),Espectroscopías de absorción de rayos X (XANES), UV-Vis, Raman y XPS. Las medidasmagnéticas revelan respuesta ferromagnética a temperatura ambiente en las muestrastratadas en hidrógeno. Los resultados XPS descartan la presencia de impurezasmagnéticas. Existe una fuerte dependencia de las propiedades estructurales y ópticassegún las condiciones de tratamiento.[1] O. Vázquez Robaina, et al, J. Phys. Chem. C, 123 (2019) 19851-19861.[2] P. Esquinazi, et al, Phys. Rev. Lett. 91, 227201 (2003).[3] M. Stoneham, J. Phys. Condens. Matter 22, 074211 (2010).[4] A. Sundaresan, et al, PHYSICAL REVIEW B 74, 161306(R) (2006)[5] T Fukumura, H Toyosaki and Y Yamada, Semicond. Sci. Technol. 20 (2005) S103?S111[6] J.M.D. Coey, et al. New Journal of Physics 12 (2010) 053025.[7] Xing et al. AIP Advances 1, 022152 (2011).
