IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio Experimental y de Cálculos de Primeros Principìos del Semiconductor Sc2O3 dopado con 111In-->111Cd, 181Hf-->181Ta y 44Ti-->44Sc
Autor/es:
D. RICHARD; T. BUTZ; A.G. BIBILONI; L. A. ERRICO; P. D. EVERSHEIM; E. L. MUÑOZ; M. RENTERÍA
Lugar:
Rosario, Santa Fé, Argentina
Reunión:
Congreso; 94º Reunión de la Asociación Física, Rosario 2009; 2009
Institución organizadora:
Comité organizador del Congreso
Resumen:
Presentamos resultados de cálculos ab initio y de experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (PAC) realizados en el semiconductor Sc2O3 Dopado con diferentes sondas PAC, isótopos con carácter tanto de impurezas como nativos. El tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE), observable extremadamente sensible ante cambios en la simetría y magnitud de la densidad electrónica de carga, puede ser medido con muy buena precisión en los sitios de la red huésped ocupados por los átomos-sonda y calculado utilizando el método Full-Potential Augmented-Plane Wave plus Local Orbitals (APW+lo). Del excelente acuerdo entre teoría y experimento obtenido con el doble abordaje propuesto pudimos reconocer sitios cristalográficos, cuantificar las relajaciones estructurales inducidas por cada impureza y verificar la modificación de propiedades electrónicas a partir del estudio de las nuevas densidades de estados. Así mismo, el estado de carga de los niveles de impureza introducidos por los dopantes Cd y Ta pudo ser determinado. Finalmente observamos que cálculos simples como los realizados según el modelo de cargas puntuales, incluyendo factores de antiapantallamiento, no describen correctamente los casos estudiados. Presentamos resultados de cálculos ab initio y de experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (PAC) realizados en el semiconductor Sc2O3 dopado con diferentes sondas PAC, isótopos con carácter tanto de impurezas como nativos. El tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE), observable extremadamente sensible ante cambios en la simetria y magnitud de la densidad electrónica de carga, puede ser medido con muy buena precisión en los sitios de la red huésped ocupados por los átomos-sonda y calculado utilizando el método Full-Potential Augmented-Plane Wave plus Local Orbitals (APW+lo). Del excelente acuerdo entre teoría y experimento obtenido con el doble abordaje propuesto pudimos reconocer sitios cristalográficos, cuantificar las relajaciones estructurales inducidas por cada impureza y verificar la modificación de propiedades electrónicas a partir del estudio de las nuevas densidades de estados. Asi mismo, el estado de carga de los niveles de impureza introducidos por los dopantes Cd y Ta pudo ser determinado. Finalmente observamos que cálculos simples como los realizados según el modelo de cargas puntuales, incluyendo factores de antiapantallamiento, no describen correctamente los casos estudiados.
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