IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Electronic structure of the semiconductors Sn1-xTixO2: Parametrization of the TB-mBJ exchange potential
Autor/es:
A.M. MUDARRA NAVARRO; L. ERRICO; A.V. GIL REBAZA; E.L. PELTZER Y BLANCÁ
Lugar:
Santiago
Reunión:
Exposicin; VII Workshop on Novel Methods for Electronic Structure Calculations; 2017
Resumen:
Los óxidos de Sn y Ti (SnO2 y TiO2, rutilo) han sido ampliamente estudiados debido a sus amplias aplicaciones tecnológicas en diversos dispositivos (como celdas solares, sensores de gas, dispositivos opto-electrónicos, entre otros), catálisis, fotocatálisis, etc. Estos compuestos, en la fase rutilo, experimentalmente poseen un band-gap directo de 3.6 eV y 3.3 eV, respectivamente. Recientemente, el sistema que se obtiene al combinar ambos óxidos, Sn1−xTixO2, han sido propuesto como una alternativa para obtener semiconductores con un band-gap controlado, permitiendo aumentar la actividad de fotocatálisis y la sensibilidad de los sensores de gas.En el presente trabajo estudiamos, mediante un abordaje de primeros principios basado en la Teoría de la Funcional Densidad (DFT), las propiedades estructurales, electrónicas de los compuestos semiconductores Sn1−xTixO2 (0.0≤x≤1.0) en función de la concentración de Ti (x). Con el fin de obtener una mejor descripción de la estructura electrónica (band-gap) de estos compuestos, se ha usado diferentes aproximaciones del potencial de intercambio-correlación, tales como GGA (PBE), meta-GGA y funcionales híbridas (HSE06). Se discutirá el caso meta-GGA del potencial de intercambio de Becke-Johnson modificado por Tran-Blaha (TB-mBJ). Analizaremos las diferentes parametrizaciones de dicho potencial y como varía el band-gap de los compuestos Sn1-xTixO2. Se han usado el método Full Potential ? Linearized Augmented Plane-Wave (FP-LAPW, Wien2k) como también el método de PseudoPotential Plane-Wave (PP-PW, Quantum Espresso), cuyos resultados se han comparado con datos experimentales obtenidos de la bibliografía.