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INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio experimental y de primeros del semiconductor ZnO dopado con 181Hf→181Ta
Autor/es:
E. L. MUÑOZ; D. RICHARD; L. A. ERRICO; P. D. EVERSHEIM; M. RENTERÍA.
Lugar:
Rosario, Argentina
Reunión:
Conferencia; 94 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2009
Institución organizadora:
Asociacion Fisica Argentina
Resumen:
<!-- /* Font Definitions */ @font-face {font-family:"MS Sans Serif"; panose-1:0 0 0 0 0 0 0 0 0 0; mso-font-charset:0; mso-generic-font-family:swiss; mso-font-format:other; mso-font-pitch:variable; mso-font-signature:3 0 0 0 1 0;} /* Style Definitions */ p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal {mso-style-parent:""; margin:0pc; margin-bottom:.0001pt; mso-pagination:none; font-size:10.0pt; font-family:"MS Sans Serif"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman"; mso-bidi-font-family:"Times New Roman"; mso-ansi-language:ES-TRAD; layout-grid-mode:line;} @page Section1 {size:51.0pc 66.0pc; margin:6.0pc 7.5pc 6.0pc 7.5pc; mso-header-margin:3.0pc; mso-footer-margin:3.0pc; mso-paper-source:0;} div.Section1 {page:Section1;} --> Trabajo presentado en forma de poster durante la reunión. En los ´ultimos a˜nos, c´alculos de primeros principios en el marco de la teor´ıa de la Funcional Densidad (DFT) han sido aplicados con ´exito al estudio de semiconductores dopados,permitiendo la descripci´on de interesantes propiedades estructurales y electr´onicas en impurezas met´alicas. El m´etodo ab initio Full-Potential Augmented Plane Waveplus local orbitals (FP-APW+lo) permite hoy uno de los c´alculos m´as precisos del tensor gradiente de campo el´ectrico (GCE) en impurezas, en particular, aquellas localizadassubstitucionalmente en sitios de cati´on libres de defectos. A partir de un estudio experimental-ab initio, las perturbaciones estructurales y electr´onicas producidas por la inclusi´onde la impureza Ta en la red hu´esped pueden ser determinadas con gran precisi´on [ver , por ej., PRL89, 55503(2002) y PRB 67, 144104 (2003)]. En este trabajo presentamos resultadospreliminares de experimentos PAC en el semiconductor ZnO policristalino dopado con trazas (ppm) de iones 181Hf(181Ta), los cuales son discutidos a la luz de c´alculosrealizados con el m´etodo FP-APW+lo en mon´oxido de Zn dopado con impurezas Ta y en el marco del simple modelo de cargas puntuales.
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