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Preparamos ZnO puro y ZnO dopado con Ta por medio del método sol-gel en medio acético con distintos tratamientos térmicos en el rango 100-800C. Mediante difracción de rayos X, espectroscopía Raman y espectroscopía de impedancias analizamos los efectos del dopaje en la cristalinidad y en las propiedades eléctricas de las nanopartículas sintetizadas. Además realizamos cálculos de primeros principios, a fin de estudiar los cambios en las propiedades estructurales, vibracionales y eléctricas que se inducen con la inclusión de la impureza Ta, y para complementar las medidas experimentales. Demostramos que el método utilizado permite sintetizar ZnO en su fase hexagonal con alta cristalinidad y tiene buena eciencia para dopar con Ta la red huésped. A su vez, la inclusión de la impureza Ta produce una disminución significativa de la resistividad respecto de la del óxido sin dopar. Los resultados aquí presentados confirman que el Ta puede sustituir al catión Zn y actuar como impurezadonora del semiconductor.