IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Propiedades Estructurales, Band-gap y Propiedades Hiperfinas de los Compuestos Semiconductores Sn1-xTixO2 (0.0≤x≤1.0)
Autor/es:
A. V. GIL REBAZA; A. M. MUDARRA NAVARRO; E. L. PELTZER Y BLANCÁ; L. A. ERRICO
Lugar:
Tucuman
Reunión:
Conferencia; 101 Reunion de la Asociacion Fisica Argantina (101 RAFA); 2016
Institución organizadora:
Asociacion Fisica Argentina - UNT
Resumen:
La mezcla de los óxidos semiconductores SnO2 y TiO2 (rutilo), compuestos Sn1-xTixO2, presentan diferentes aplicaciones tecnológicas como sensores de gas, actividad foto-catalítica bajoradiación UV y visible, con una mejor respuesta en comparación de los óxidos binarios puros. En el presente trabajo, estudiamos la estructura electrónica de los compuestos Sn1-xTixO2,usando cálculos ab-initio basados en la Teoría de Funcional Densidad (DFT). Para tal fin, se han usado diferentes aproximaciones del potencial de intercambio-correlación, tales comoGGA-PBE, potencial modificado de Becke-Johnson (TB-mBJ) y la funcional híbrida HSE06. Además, se estudiaron las propiedades hiperfinas de los átomos de Sn.
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