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El óxido de Zinc (ZnO) es un semiconductor considerado como un material promisorio para aplicaciones en espintrónica, biomedicina y optoelectrónica [1], estas aplicaciones dependen sensiblemente de la capacidad de controlar la síntesis de las estructuras y sus propiedades electrónicas y ópticas. El ZnO puro crece generalmente con carácter tipo n debido a la presencia de centros donores nativos que usualmente se identifican con intersticiales de Zn y vacancias de oxígeno (Vo) [2-4]. Por estos motivos, el estudio de los defectos intrínsecos y extrínsecos del ZnO tienen mucho interés dentro de la comunidad científica. El estudio de los sistemas en baja dimensionalidad permite amplificar los efectos superficiales en las propiedades físicas de los mismos debido a que se estima que la mayor parte de los defectos se segregan hacia la superficie, donde se producirían los nuevos efectos [5].