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Trabajo presentado en forma de poster durante la conferencia Recientemente, el estudio combinado de técnicas experimentales hiperfinas y cálculos de primeros principios de estructura electrónica han permitido reinterpretar asignaciones erróneas de experimentos realizados en óxidos semiconductores diluidos. En particular, la dependencia sistemática de parámetros hiperfinos con el parámetro de red de óxidos con la estructura bixbita fue reinterpretada a la luz de cálculos ab initio realizados en el sistema In2O3:181Ta. Los sistemas cuyo análisis necesitan una revisión son aquellos de menor parámetro de red en la sistemática, entre ellos el In2O3 y el Sc2O3, rango en el cual la sistemática presentaba una dependencia tipo escalón y una inversión en las poblaciones de los sitios catiónicos de la estructura. En este trabajo presentamos resultados de experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (PAC) realizados en el semiconductor Sc2O3 dopado con la sonda-impureza 181Hf/181Ta. Los iones 181Hf fueron introducidos en las muestras por implantación iónica en el ISKP de la Universidad de Bonn. Las muestras fueron tratadas térmicamente hasta 1173 K para eliminar el daño por radiación. La dependencia del tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE) con la temperatura fue determinada entre 293 K y 1173 K. La dependencia de los parámetros hiperfinos medidos en sitios de impurezas Ta localizadas en los sitios catiónicos C y D de las bixbitas en función del parámetro de red fue reinterpretada a la luz de resultados de cálculos ab initio realizados con el método Full-Potential Linearized-Augmented Plane Wave (FP-LAPW) en el sistema Sc2O3:Ta.