IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Determinación experimental y de primeros principios del GCE en el semiconductor Cr2O3(Ta)
Autor/es:
G.N. DARRIBA, L. A. ERRICO, E.L MUÑOZ, D. RICHARD, P.D. EVERSHEIM, M. RENTERÍA
Lugar:
Ciudad Autónoma de Buenos Aires, Argentina
Reunión:
Conferencia; 93 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2008
Institución organizadora:
Asociacion Fisica Argentina
Resumen:
Trabajo presentado en forma de poster durante la conferencia En este trabajo presentamos resultados de experimentos PAC realizados en muestras policristalinas de Cr2O3 (estructura Corundum) implantadas con iones 181Hf®181Ta en el ISKP de la Universidad de Bonn. Estos experimentos fueron realizados en función de diversos annealings con el objeto de determinar a qué temperatura se obtiene el mayor  porcentaje de sondas localizadas en sitios sustitucionales de catión y libre de defectos del semiconductor. Los experimentos fueron contrastados con cálculos ab initio en el marco de la Teoría de la Funcional Densidad y con predicciones del modelo de cargas puntuales. Los cálculos ab initio fueron realizados con el método FP-LAPW (utilizando el código WIEN2K) con una dilución de impureza de 1:12. En estos cálculos fue necesario utilizar la aproximación LDA+U, ya que sin la corrección introducida por el potencial U aplicada a los orbitales d de los átomos de Cr, se predecía un carácter conductor y no semiconductor del sistema estudiado.  La magnitud y simetría del GCE (perteneciente a la interacción asignada a sondas sustitucionales en sitios de catión) están en acuerdo con las predicciones FP-LAPW. Este abordaje teórico-experimental permitió determinar las relajaciones estructurales producidas por la inclusión de la impureza en la red huésped, como así también el estado de carga del nivel de impureza en la banda prohibida del sistema bajo estudio.
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