IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
SEMICONDUCTORES DOPADOS CON APLICACIÓN EN CELDAS SOLARES
Autor/es:
L.C. DAMONTE
Reunión:
Conferencia; Conferencia Nano2016; 2016
Resumen:
Los últimos avances en el diseño de las células solares han permitido importantes mejoras en el rendimiento de estos dispositivos. Sin embargo, los procesos involucrados son de una enorme complejidad y con altos costos de producción. Es por ello que nuevos sistemas fotovoltaicos están siendo desarrollados como dispositivos basados en silicio amorfo, células solares orgánicas o las células solares híbridas, todas ellas fundadas en nano-tecnologías. La eficiencia de estos dispositivos puede ser mejorada incrementando la densidad de portadores y los procesos interfaciales. Existen diversos mecanismos para alcanzar estos objetivos, como por ejemplo el uso de materiales nanoestructurados y su dopaje con elementos donores.En este trabajo, se presentan la preparación, dopaje y caracterización estructural y óptica de compuestos semiconductores II-VI (ZnO, ZnTe y ZnSe) para ser utilizados como componentes de células solares híbridas. Se describen brevemente los métodos de obtención y dopaje de bajo costo utilizados y los resultados de las caracterizaciones realizadas. Estos estudios nos permitirán mejorar la performance de las células solares híbridas.REFERENCIAS1.J.Hoya, J.I.Laborde and L.C. Damonte, ?Structural characterization of mechanical milled ZnSe and ZnTe powders for photovoltaic devices?, Int. J. of Hydr. Energy, 37 (2012) 14769-14772.2.M.D. Reyes Tolosa, LC. Damonte, H. Brine, H. Bolink and M.A. Hernández-Fenollosa, ?Nucleant layer effect on nanocolumnar ZnO films grown by electrodeposition?, Nano. Res. Letters 2013, 8:135 doi:10.1186/1556-276X-8-135.3.J.I.Laborde J.Hoya, M.D. Reyes-Tolosa, M.A. Hernández-Fenollosa, L.C.Damonte ?Mechanical Milled Doped Zn-Based Semiconductors Powders For Photovoltaic Devices?, Int.J. Hydr.Energy 39 (2014) 8697-8701,doi: 10.1016/j.ijhydene.2013.12.051.
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