Determinaci´on del gap semiconductor de ZnxMnyOz por absorci´on UV-Vis

Y.ALVAREZ; N.LAVALLE; A.CANATELLI; I.BRUVERA; L.GIOVANETTI; L.C. DAMONTE

Congreso; Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2015

La electrodeposici´on constituye un m´etodo pr´actico y simple para sintetizar materiales semiconductores enforma de pel´ıculas delgadas o capas nanoestructuradas. La energ´ıa del gap semiconductor de estos materialespuede ser modificada mediante el dopaje con elementos de los grupos III o IV[1]. En este trabajo y en el marcode la materia Experimentos Cu´anticos II de la licenciatura en f´ısica (UNLP), se determin´o la energ´ıa del gapsemiconductor de un conjunto de l´aminas delgadas de ZnMnO generadas por electrodeposici´on cat´odica decloruros de Zn y Mn[2]. Las medidas de absorbancia fueron realizadas mediante un montaje ad hoc en el rango[200, 500] nm y analizadas mediante gr´aficos de Tau para determinar la posici´on del gap semiconductor en funci´ondel contenido de Mn. Se obtuvieron energ´ıas de gap mon´otonamente crecientes con el contenido de Mn en elrango h [3,2 ; 3,6] eV para composiciones en el rango y [0 ; 0,9].[1] Damonte, LC, V Donderis, and MA Hern´andez-Fenollosa. ?Trivalent dopants on ZnO semiconductor obtainedby mechanical milling.?Journal of Alloys and Compounds 483.1 (2009): 442-444.[2] Mollar, M et al. .Electrodepositing ZnxMnyOz alloys from zinc oxide to manganese oxide.?MicroelectronicsJournal 40.2 (2009): 276-279.