IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Semiconductores ZnTe y ZnSe dopados con Al mediante molienda mecánica
Autor/es:
LUCAS G. VALLUZZI; MARCOS G. VALLUZZI; MARCOS MEYER; LAURA DAMONTE
Lugar:
La Plata
Reunión:
Congreso; SOLIDOS 2015; 2015
Resumen:
Los semiconductores II-VI son de gran interés debido a sus potenciales aplicaciones como dispositivos fotovoltaicos, particularmente en celdas solares híbridas. La eficiencia de estos dispositivos puede ser mejorada incrementando la densidad de portadores y los procesos interfaciales. Para lograr este objetivo el desarrollo de nuevos materiales nano estructurados constituye una excelente opción. Otra alternativa complementaria es proceder al dopado de los semiconductores con elementos de los grupos III o IV generando niveles donores o aceptores en la banda prohibida. Con este doble propósito en este trabajo presentamos la preparación de polvos semiconductores nano-estructurados basados en Zn dopados con Al mediante molienda mecánica. Sin bien este procedimiento ha demostrado ser altamente eficaz en la obtención y dopaje de semiconductores nano-cristalinos, los polvos obtenidos presentan cierto grado de aglomeración. A fin de conseguir un sistema de grano pequeño, disperso que pueda ser utilizado en dispositivos fotovoltaicos se procedió a la utilización de una variedad de surfactantes, tanto durante la molienda como en procesos posteriores. La caracterización estructural de los materiales obtenidos se realizó mediante difracción de rayos X (XRD) y microscopía electrónica de barrido (SEM). Mediante dispersión de luz (DLS) se determinó el grado de polidispersidad de las suspensiones obtenidas permitiendo evaluar el efecto de cada surfactante utilizado.
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