IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Interacciones Hiperfinas en Y2O3 dopado con 111In(EC)111Cd: Medidas PAC y Cálculos DFT
Autor/es:
D. RICHARD; E.L. MUÑOZ; A.W. CARBONARI; M. RENTERÍA
Lugar:
merlo
Reunión:
Congreso; 100° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2015
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
En este trabajo se presenta un estudio combinado experimental y teórico de la determinación del tensor Gradiente de Campo Elctrico (GCE) en impurezas 111In(EC)111Cd sustitucionalmente localizadas en sitios cationicos del semiconductor Y2O3.El GCE observado por el núcleo-sonda 111Cd en los sitios de la red húesped fue caracterizado experimentalmente por medio de la técnica de las Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en el Tiempo (PAC), luego del dopaje del semiconductor con ´atomos 111In, que decaen por captura electrónica (EC) a 111Cd. Las medidas fueronrealizadas en el rango de temperaturas 295K-995K en muestras policristalinas preparadas por difusión de la sonda en polvo comercial, como así también en muestras preparadas por el método sol-gel, con el dopaje realizado durante o con posterioridad a la obtención del óxido. A partir del estudio comparativo de los espectros PAC, se analizó la bondad de preparación de la técnica sol-gel y su incidencia en el comportamiento del GCE en funciónde la temperatura.Los espectros PAC dan cuenta de dos interacciones hiperfinas bien definidas en todo el rango de temperatura de medida, características de sondas alojadas en los dos sitios catiónicos inequivalentes de la red bixbyita libre de defectos. A bajas temperaturas se aprecia un claro amortiguamiento creciente de los espectros, indicativo de la presencia de interacciones hiperfinas dinámicas, atribuidas a los efectos electrónicos posteriores al decaimientopor EC del 111In (after-effects).Los resultados experimentales fueron comparados con predicciones de cálculos de primeros principios, realizados con el método Augmented Plane Wave plus local orbitals (APW+lo) en el marco de la Teoría del Funcional Densidad (DFT). Mediante esta comparación se pudo determinar el estado fundamental de carga del sistema impureza-huésped.Los resultados obtenidos con esta metodología experimental y de primeros principios muestran que el GCE es una herramienta fundamental para caracterizar las relajaciones estructurales y comprender las propiedades electrónicas introducidas por la impureza en el semiconductor.
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