IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Dopaje de oxido de Zinc con aluminio mediante trabajo mecanico
Autor/es:
G.FUNES; G.GARLATTI; F.FERNANDEZ BALDIS; L.BAUM; L. C. DAMONTE
Lugar:
Argentina
Reunión:
Congreso; Reunion Nacional de Fisica; 2007
Resumen:
El compuesto ZnO es extensamente estudiado en la actualidad dado su potencial en múltiples aplicaciones tecnológicas, en particular en la fabricación de células fotovoltaicas híbridas (orgánicas/inorgánicas) consistentes en un semiconductor de gap ancho y un polímero conjugado.  Las propiedades ópticas y eléctricas de este semiconductor se ven modificadas por la presencia de agentes dopantes, tales como el Al, mejorando el transporte de portadores dentro del semiconductor.             En este trabajo se presenta la preparación y caracterización estructural de polvos nanocristalinos de ZnO dopados al 10% atómico de Al obtenidos por molienda mecánica. La incorporación progresiva del catión en función del tiempo de molienda es analizada por medio de difracción de rayos X (XRD), mientras que a través de medidas de vidas medias de aniquilación de positrones (PALS) se caracterizaron los defectos inducidos mecánicamente.
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