Óxidos semiconductores magnéticos diluidos: experimentos y cálculos ab-initio

C.E. RODRÍGUEZ TORRES

Huerta Grande- Córdoba

Congreso; Sólidos 2007; 2007

Se ha encontrado ferromagnetismo a temperatura ambiente en películas de los óxidos semiconductores ZnO, TiO2, SnO2, In2O3 y HfO2 dopados con baja concentración de metales de transición (< 10 at. %). La causa que da origen al ordenamiento magnético en estos materiales es uno de los tópicos más debatidos de los últimos tiempos en el área del magnetismo, más aún, la presencia de magnetismo en algunos de estos óxidos puros. Hay abundante evidencia de que el magnetismo está relacionado con una o más de las causas siguientes: una deficiente cristalinidad de las películas, la presencia de defectos puntuales y lineales, y efectos de superficie o interfases (película/substrato) aún no completamente identificados. En este trabajo, se presentan resultados experimentales obtenidos en películas y polvos, y de cálculos ab-initio, en sistemas SnO2 y TiO2 puros y dopados. Se investiga la dependencia de la magnetización con la concentración, el espesor, la microestructura superficial, las condiciones de depósito de las películas y el substrato.