IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Interacciones Hiperfinas de impurezas Sc en el semiconductor α-Al2O3
Autor/es:
DARRIBA G. N.; RENTERÍA M.
Lugar:
Tandil
Reunión:
Congreso; 99° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2014
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
En este trabajo presentamos un estudio ab initio de propiedades estructurales, electrónicas e hiperfinas del semiconductor alpha-Al2O3 dopado con impurezas Sc. Estudios similares de alpha-Al2O3 dopado con impurezas aceptoras y donoras, tales como Cd y Ta,  fueron realizados recientemente. Estos cálculos fueron comparados con resultados experimentales obtenidos mediante la técnica espectroscópica de la Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (TDPAC) utilizando como sondas los nucleídos (111^In→)111^Cd y (181^Hf→)181^Ta, respectivamente. Por otro lado el nucleído  44^Sc puede utilizarse en TDPAC como una sonda no standard mediante el decaimiento  44^Ti→44^Sc. De esta forma es interesante obtener predicciones teóricas confiables de las propiedades estructurales,  electrónicas e hiperfinas que puedan ser comparadas con resultados de experimentos TDPAC, actualmente en progreso. Los cálculos ab initio fueron realizados con el metodo Full-Potential Augmented Plane Wave plus Local Orbitals (FP-APW+lo), utilizando el codigo  Wien2K. Con el fin de simular una impureza aislada (como es el caso en los experimentos TDPAC), consideramos diferentes concentraciones de la impureza Sc y, a pesar de que el Sc y el Al son isovalentes, realizamos cálculos para diferentes estados de carga de la impureza. Finalmente, las propiedades estructurales, electrónicas y el tensor gradiente de campo eléctrico son también comparados con los resultados obtenidos para impurezas donoras y aceptoras en alpha-Al2O3. 
rds']