IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Gradiente de campo eléctrico e interacciones dinámicas en sitios de impureza Cd en In2O3. Un modelo de primeros principios.
Autor/es:
L. ERRICO; M. RENTERÍA; A. G. BIBILONI
Lugar:
Merlo, San Luis, Argentina
Reunión:
Congreso; 91 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2006
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
La densidad electrónica r(r) en un sólido y su dependencia con la temperatura (T) puede estudiarse a partir de la determinación experimental del tensor gradiente de campo elétrico (GCE), el cual es sumamente sensible a pequeños cambios en r(r). En este aspecto, la técnica de las correlaciones angulares perturbadas (PAC) ha sido extensamente aplicada a este tipo de estudios, ya que no presenta las limitaciones que el factor de Debye-Waller impone a otras técnicas. En particular, el GCE en sitios de impureza en óxidos con la estructura bixbita ha sido ampliamente estudiado con esta técnica y con 111Cd como sonda [1]. En lo concerniente a la dependencia del GCE con T en estos compuestos, dos comportamientos fueron observados. En el caso que los cationes presenten capas electrónicas incompletas se observa un incremento lineal del GCE con T. Por otro lado, si los cationes presentan capa cerrada, los espectros tomados a 300 K presentan un fuerte amortiguamiento, que desaparece para temperaturas de medida mayores. Este amortiguamiento es reversible con la temperatura de medida, por lo cual no puede estar originado en algún tipo de daño por radiación. Más aún, no puede ser descripto por una distribución de frecuencias estáticas. En los últimos años el método ab initio Full-Potential Linearized Augmented Plane Wave (FLAPW) ha sido exitosamente aplicado al estudio del GCE en sitios de impurezas Cd y Ta en óxidos binarios. Mas aún, hemos podido emplear este tipo de cálculos a 0 K a fin de estudiar la dependencia con T del GCE en sitios de impureza Cd en TiO2 [2] y Lu2O3 [3]. En esta comunicación presentamos resultados FPLAW en impurezas Cd sustitucionalmente localizadas en sitios catiónicos de la bixbita In2O3. Estos cálculos, además de predecir correctamente el GCE, nos han permitido establecer un modelo, basado en cambios en la ocupación de un nivel de impureza introducido por el Cd en el GAP del In2O3, para explicar el origen de las interacciones dinámicas. [1] L Errico et al, Eur. Phys. J. B 22, 149, 2001. [2] L Errico, Hiperfine Inetractions 158, 29, 2004. [3] L. Errico et al, Phys. Status Solidi c 2, 3576, 2005.
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