IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Ferromagnetismo en películas delgadas de Sn2O y Sn0,9Fe0,1O2: Estudio experimental y de primeros principios.
Autor/es:
C. RODRÍGUEZ TORRES; L. ERRICO; F. GOLMAR; A. NAVARRO MUDARRA; F. CABRERA; S. DUHALDE; F. SÁNCHEZ; M. RENTERÍA; M. RENTERÍA
Lugar:
Merlo, San Luis, Argentina
Reunión:
Congreso; 91 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2006
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
Los semiconductores magnéticos diluidos producidos a partir del dopaje de semiconductores no magnéticos con metales de transición han recibido considerable atención en los últimos años debido a sus potenciales aplicaciones en espintrónica y optoelectrónica, ya que combinan propiedades de transporte con ferromagnetismo y transparencia en el rango visible [1]. Ferromagnetismo por encima de la temperatura ambiente ha sido reportado en diferentes óxidos dopados con elementos magnéticos, como ZnO:Co [2] o Ti1-xRxO2 (R: Mn, Fe, Co, Ni) [3] o Sn1-xFexO2 [4]. Asímismo, algunos autores han reportado ferromagnetismo en óxidos puros como TiO2, HfO2 e In2O3 [5] o en óxidos dopados con impurezas no magnéticas [3]. En estos casos, el comportamiento magnético fue atribuido a defectos como por ejemplo vacancias de oxígeno. En este trabajo presentamos un estudio de propiedades magnéticas de films delgados de SnO2 puros y dopados con Fe depositados sobre LaAlO3 (LAO) por ablación láser. Los resultados muestran que tanto los films puros como los dopados presentan comportamiento magnético. El resultado para el caso de SnO2 puro es inesperado (el momento magnético de este film es aproximadamente un tercio del encontrado en Sn1-xFexO2), ya que el SnO2 es un material diamagnético. Los resultados experimentales son comparados con cálculos ab initio, en los cuales hemos tenido en cuenta diferentes variables del problema (dilución y distribución de las impurezas, efecto de vacancias de oxígeno, etc).   [1] H. Ohno et al, Nature 408 944, 2000. [2] P. Sharma et al, Nature Materials 2, 673, 2003. [3] S. Duhalde et al, Phys. Rev. B 72 (2005) R161313; L. Errico et al, Phys. Rev. B 72, 184425, 2005. [4] C. Fitzgerald et al, J. Appl. Phys. 95(11), 7390, 2004. [5] J. Coey et al., Phys. Rev. B 72, 24450, 2005.
rds']