IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio PAC de Interacciones Hiperfinas Dinámicas en el semiconductor Y2O3 dopado con (111In-->)111Cd: Un escenario de perimeros principios
Autor/es:
E.L. MUÑOZ; A. W. CARBONARI; M. RENTERÍA
Lugar:
San Miguel de Tucumán
Reunión:
Congreso; Reunión Nacional Sólidos 2011; 2011
Institución organizadora:
UNT
Resumen:
El estudio combinado teórico y experimental de la determinación del tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE) utilizando isótopos radioactivos localizados en sitios de catión de óxidos semiconductores, basado en técnicas hiperfinas y cálculos ab initio de estructura electrónica, resulta ser una herramienta muy útil para la caracterización de las relajaciones estructurales y electrónicas en sistemas diluidos. En este trabajo presentamos resultados de experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas g-g Diferenciales en Tiempo  (PAC) obtenidos en pastillas policristalinas de Y2O3 difundidas con átomos-sonda 111In(à)111Cd. Se determinó el tensor GCE en núcleos-sonda 111Cd localizados en ambos sitios catiónicos de la red libre de defectos  Estos resultados son comparados con predicciones de primeros principios obtenidas con el método Full-Potential Augmented Plane Wave plus local orbital (FP-APW+lo) en el marco de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT). Las medidas fueron realizadas en el rango de temperatura 10 K-900 K. Los espectros PAC muestran interacciones bien definidas en todo el rango de temperatura, rasgo  característico  de sondas alojadas en sitios catiónicos libre de defectos. Adicionalmente se aprecia un evidente amortiguamiento a temperaturas intermedias indicando la presencia de interacciones hiperfinas dinámicas atribuidas a los efectos posteriores (after-effects) al decaimiento por captura electrónica del 111In(EC)111Cd. Un escenario que explica el origen de este fenómeno es presentado, basado en resultados de cálculos ab initio de la dependencia del GCE en sitios de impureza Cd en función del estado de carga de la celda.
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