INQUIMAE   12526
INSTITUTO DE QUIMICA, FISICA DE LOS MATERIALES, MEDIOAMBIENTE Y ENERGIA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Relación entre las propiedades magnéticas y la electroquímica en compositos de PANI-CoFe2O4
Autor/es:
R. A. LANDA; P. S. ANTONEL; G. A. JORGE; F. V. MOLINA
Lugar:
Capital Federal
Reunión:
Congreso; XVI Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2016
Institución organizadora:
Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
Resumen:
La preparaciónde compositos de nanoestructuras magnéticas y polímeros conductores resulta muyinteresante, dado que los mismos presentan funcionalidades múltiples,combinando la conductividad eléctrica de los polímeros con la propiedadmagnética de las nanoestructuras. De esta manera, estos materiales resultan muyprometedores para el desarrollo de dispositivos magnéticos con conduccióneléctrica, con propiedades controlables eléctricamente a través de procesoselectroquímicos en la matriz del polímero.Se sintetizaron,por voltametría cíclica (VC), compositos de polianilina (PANI) con nanopartículasmagnéticas de CoFe2O4 en distintas proporciones. Estosmateriales fueron caracterizados mediante microscopía de fuerza atómica (AFM),microscopía de fuerza magnética (MFM), microscopía de barrido (SEM), medidas demagnetización (VSM), y electroquímicamente mediante voltametrías cíclicas enpresencia y ausencia de campo magnético.A partir de lasimágenes de AFM, MFM y SEM se concluyó que las nanopartículas se encuentrandispersas en la matriz del polímero y que al modificar algunas condiciones desíntesis se puede controlar la cantidad de Np´s que se incorpora en el materialfinal. Mediante la caracterización electroquímica se observa que existe uncambio en el comportamiento electroquímico al aplicar campos magnéticos dedistinta intensidad. Estos cambios en la electroquímica, a su vez, se veninfluenciados por la presencia de distintas proporciones de nanopartículas enel material. Entonces, en principio, sería factible la aplicación de estosmateriales en dispositivos del tipo sensores de campos magnéticos o enalmacenamiento de memoria.   
rds']