INQUIMAE   12526
INSTITUTO DE QUIMICA, FISICA DE LOS MATERIALES, MEDIOAMBIENTE Y ENERGIA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Cerámicos multiferroicos, depositados como películas en distintos substratos, que presentan efecto magnetoeléctrico
Autor/es:
L. M. SALEH MEDINA; D. RUBI; G. A. JORGE; R. M. NEGRI
Reunión:
Congreso; XIX Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2015
Resumen:
El efecto magnetoeléctrico permite el control de las propiedades eléctricas a través de la aplicación de campos magnéticos y a su vez modificar las propiedades magnéticas por medio de campos eléctricos. Este efecto puede observarse en un único compuesto (compuestos multiferroicos monofásicos, ej. BiFeO3) o por la interacción de materiales magnetoestrictivos y piezoeléctricos (ej. CoFe2O4, BaTiO3)[1]. En este trabajo se sintetizaron y caracterizaron diferentes compuestos (BiFeO3, CoFe2O4) y se utilizaron otros disponibles comercialmente (BaTiO3) con el objetivo de obtener efecto magnetoeléctrico a temperatura ambiente. Los compuestos fueron caracterizados química, física, eléctrica y magnéticamente [2]. También se depositaron en forma de film delgados mediante ablación láser (PLD) sobre n-Si, y, por otra parte, fueron incorporados en films de matrices orgánicas de estireno-butadieno (SBR) para obtener además de las propiedades mencionadas, flexibilidad. Films de esta naturaleza no están estudiados sistemáticamente [2]. Los films obtenidos por PLD presentan interesantes valores de polarización eléctrica pero presentan altas corrientes de fuga, por lo que actualmente se están modificando las condiciones de depósito para minimizarlas. En cambio, los films de SBR presentan menores valores de polarización, pero menores corrientes de fuga, hecho que se observa en que la polarización es máxima a valores inferiores de campo eléctrico (con respecto al campo eléctrico máximo, Figura 1). También se observa un efecto magnetoeléctrico a temperatura ambiente. Al presente se está estudiando el efecto de preparar los films de SBR en presencia de campos eléctricos y/o magnéticos.
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