Construcción y caracterización de memorias resistivas basadas en TiO2

C. PERALTA; I. ABINZANO; C. ACHA

Bariloche

Encuentro; XVII Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2017

CAB-CNEA

Se construyeron memorias resistivas de tipo capacitor en base a TiO2 depositado sobre Timediante la técnica de descargas tipo arco catódico, mientras que los electrodos superiores de Pt fuerondepositados por sputtering. Se emplearon dos espesores para la capa de TiO2, de 50nm y120 nmaproximadamente. Para obtener diferentes fases cristalinas de TiO2, el crecimiento se realizó contemperaturas de 200 ºC, 400 ºC y 500 ºC, consiguiendo así la fase amorfa, anatasa y rutilo,respectivamente. Algunas de las muestras crecidas a 200 ºC en fase amorfa se sometieron a untratamiento térmico de 400 ºC durante 1 hora para su cristalización a fase anatasa posterior alcrecimiento. Las muestras fueron caracterizadas mediante microscopía SEM y por difracción de rayos Xse verificó la presencia de las fases cristalinas deseadas.Mediante la realización de ciclos de características corriente-tensión se estudiaron lascapacidades de conmutación resistiva (CR) de los distintos dispositivos a temperatura ambiente,obteniéndose valores altos y bajos de resistencia gracias a una CR del tipo bipolar, sin la necesidad derealizar tratamientos previos de pre-formado. Se analizó la repetitividad y durabilidad de estosdispositivos y se propuso, en alguno de los casos, un circuito equivalente que da cuenta de los mecanismosde conducción dominantes.