INFIQC 05475
INSTITUTO DE INVESTIGACIONES EN FISICO- QUIMICA DE CORDOBA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Influencia de aditivos en la electrodeposición de cobre sobre n-Si(100)-H y Si(111)
Autor/es:
MA. BERNARDA QUIROGA ARGAÑARAZ; G. RIVEROS PATRONI; G. I. LACCONI
Lugar:
La Plata, Buenos Aires
Reunión:
Congreso; 4º Encuentro de Física y Química de Superficies; 2009
Institución organizadora:
INIFTA
Resumen:
Influencia de aditivos en la electrodeposición de Cobre sobre n-
Silicio(100) y (111)
Ma. Bernarda Quiroga Argañaraz1, Gonzalo Riveros Patroni2, Gabriela I. Lacconi1
1INFIQC, Departamento de Fisicoquímica, Facultad Ciencias Químicas, UNC, Cdad.
Universitaria, 5000 Córdoba, Argentina.
2 Universidad de Valparaíso, Valparaíso, Chile.
e-mail: glacconi@mail.fcq.unc.edu.ar
La deposición de metales sobre superficies y la generación de monocapas delgadas
han sido extensamente estudiadas por su importancia en la modificación superficial y
también por sus diversas aplicaciones en nanotecnología y nanoelectrónica. La
presencia de películas sobre semiconductores es causa de cambios muy importantes
en las propiedades de las superficies tales como, adhesión, hidrofobicidad, corrosión,
etc. Recientes publicaciones proveen información sobre la influencia de aditivos
orgánicos en el mecanismo y la cinética de nucleación y crecimiento de cristalitas de
cobre sobre superficies de sustratos semiconductores. [1,2]
El objetivo del presente trabajo consiste en el estudio de la formación de cristalitas de
cobre sobre superficies hidrogenadas de Si(111) y (100), por técnicas electroquímicas
y análisis de la cinética de nucleación y crecimiento de las mismas en presencia de
aditivos.
La caracterización de las superficies se realizó mediante voltametría cíclica y
espectroscopía de impedancia electroquímica. El análisis de los transitorios de
corriente obtenidos a diferentes valores de potencial mediante el ajuste con modelos
teóricos de nucleación y crecimiento, muestra que las cristalitas formadas siguen un
crecimiento tri-dimensional controlado por difusión. Tanto en los experimentos de
deposición potenciodinámica como mediante la aplicación de pulsos de potencial, se
evidencia la inhibición de la transferencia de carga producida por la presencia de
aditivos orgánicos.
El desplazamiento del potencial de inicio para la formación de las cristalitas de cobre
observado en presencia del aditivo, podría ser explicado si se considera una fuerte
interacción entre las moléculas de aditivo y el sustrato o bien debido a la posible
formación de especies complejas con los iones Cu2+.
Referencias:
[1] G. Oskam, J.G. Long, A. Natarajan, P.C. Searson, J. Phys. D: Appl. Phys. 31
(1998) 1927.
[2] E. C. Muñoz, R. S. Schrebler,P. K. Cury, C. A. Suárez, R. A. Córdova,C. H. Gómez,
R. E. Marotti, E. A. Dalchiele. Electrochem. Comm. 6 (2006) 153.
[3] A.G. Muñoz, A. Moehring, M.M. Lohrengel. Electrochem. Acta 47 (2002) 2751
[4] E. Balaur, T. Djenizian, R. Boukherroub, J.N. Chazalviel, F. Ozanam, P. Schmuki,
Electrochem. Comm. 6 (2004) 153.
[5] M.A. Schneeweiss, H. Hagenström, M. J. Esplandiu, D.M. Kolb,
Appl. Phys. A 69 (1999) 537.
