INFIQC   05475
INSTITUTO DE INVESTIGACIONES EN FISICO- QUIMICA DE CORDOBA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Síntesis, estructura cristalina y electrónica de (BiAg) 1/2 MoO 4 . Aplicación al estudio DFT de adsorción de ligandos orgánicos
Autor/es:
G. LENER ; P. VÉLEZ; E. P. M. LEIVA; L. MOYANO; R. CARBONIO
Lugar:
San Luis
Reunión:
Congreso; I Reunión Latinoamericana de Cristalografía - IX Reunión Anual de la AACr; 2014
Resumen:
El estudio de procesos de adsorción sobre sólidos cristalinos semiconductores ha sido de sumaimportancia y ha contribuido significativamente en diferentes áreas, entre ellas pueden destacarse lasaplicaciones en tecnología y en catálisis [1,2]. Para ello resulta fundamental interpretar tanto la estructuracristalina como la electrónica del sustrato, de la especie adsorbiba y de la interfase formada. En estetrabajo se muestra la síntesis por métodos no-convencionales, estructura cristalina y electrónica de(AgBi) 1/2 MoO 4 y su aplicación en la adsorción de fenacil-benzotriazolEl óxido mixto (AgBi) 1/2 MoO 4 fue sintetizado mediante precipitación asistida por irradiación demicroondas. La estructura cristalina pertenece a la familia estructura scheelita (CaWO 4 ). En el sitiocristalográfico A se encuentran los iones Ag + y Bi 3+ , coordinados por 8 iones O 2- formando cubosdistorsionados unidos por las aristas. La distribución de estos iones es de manera no-ordenada aunqueexiste una diferencia de 28 kJ/mol entre las configuraciones Bi-O-Bi-O-Ag-O-Ag y Bi-O-Ag-O-Bi-O-Ag,siendo más estable la configuración alternada de iones. El gráfico de densidad de estados obtenidomediante cálculos a nivel DFT indica que es un semiconductor con un band-gap de 1,07 eV. La banda devalencia está compuesta principalmente por los electrones de los orbitales 4d de Ag + , mientras que labanda de conducción está compuesta principalmente por los orbitales virtuales de Mo 6+ . La geometría deadsorción de la cara 010 de este óxido con fenacil-benzotriazol involucra la interacción de los iones Ag +con los átomos de nitrógeno del fenacil-benzotriazol. La energética indica que es una adsorción químicaexotérmica de 108 kJ/mol. El gráfico de densidad de estados de la interfase indica la formación de estadosenlazantes en la banda de valencia generando un band gap levemente menor a 1 eV.[1] Scarrozza, M.et al. Microelectronic Engineering, 86, 1747?1750 (2009). [2] Munshi, A. et al. Journal ofCrystal Growth. 372, 163?169 (2013).