INENCO   05446
INSTITUTO DE INVESTIGACIONES EN ENERGIA NO CONVENCIONAL
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Sobre el Espectro de Potencia de un Laser Semiconductor.
Autor/es:
JAVIER GUTIERREZ, JUAN P. APARICIO
Lugar:
Bariloche
Reunión:
Congreso; 98 Reunion Anual de la Asociacion Fisica Argentina; 2013
Institución organizadora:
Asociacion Fisica Argentina
Resumen:
El laser semiconductor, por su versatilidad, diseño compacto y bajo costo es un dispositivo de gran utilidad y amplias aplicaciones. Tanto desde un punto de vista teórico como práctico, el estudio de su ancho de línea es de gran interés. De acuerdo con la teoría estándar [1,2], el ancho de línea en un laser semiconductor se le atribuye a las fluctuaciones originadas por el proceso aleatorio de emisión espontánea. Dicha teoría utliza ecuaciones de Langevin como aproximación del proceso estocástico modelado. Sin embargo esta teoría presenta varias problemas. Por un lado, para que el ancho de línea predecido sea del orden del observado, cada emisión espontánea debe contribuir a una variación en intensidad correspondiente a cientos de fotones. Por otra parte, la variación de la fase es inversamente proporcional a la intencidad del laser, un resultado que no es esperado [3]. En el presente trabajo se propone que el origen del ancho de línea se debe a las fluctuaciones intrínsecas debidas al carácter estocástico del proceso de emisión estímulada. En particular mostramos que el proceso de emisión espontánea es despreciable en el regimen laser. En este nuevo enfoque el espectro de potencia tiene un ancho de línea del mismo orden que en trabajos el calculado por Henry[2,4].
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