INFIVE   05416
INSTITUTO DE FISIOLOGIA VEGETAL
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Análisis de la tolerancia a la Fusariosis de la Espiga de Trigo.
Autor/es:
SALVADOR JA, CORRALES C, LORI G, GIANUZZI L,CASTRO AM
Lugar:
Rosario
Reunión:
Congreso; Congreso Latinoamericano de REDBIO; 2009
Institución organizadora:
REDBIO
Resumen:
La fusariosis de la espiga (FET) es la enfermedad de mayor importancia en la producción de trigo a nivel local e internacional. La infección de Fusarium graminearum ocasiona importantes pérdidas en el rendimiento y la calidad industrial y sus toxinas (DON, NIV) son muy peligrosas para el hombre. La tolerancia a esta enfermedad, basada en una sola fuente (Sumai3), es poligénica habiéndose realizado esfuerzos para identificar nuevos genes que controlen el avance de la FET y el contenido de toxinas. El presente trabajo tiene por objeto analizar el nivel de tolerancia a FET en líneas dihaploides recombinantes (DH) de trigo provenientes del cruzamiento de un trigo sintético (Syn) y un cv susceptible. Para ello se evaluó en 2005-2007 y 2008 el comportamiento a campo de estas líneas, determinando la severidad, el porcentaje de grano fusarioso (FDK) y el PMG. Simultáneamente, se evaluó el contenido de DON en un conjunto de líneas seleccionadas al azar.  El padre Syn presentó similar tolerancia al control Sumai3 y el 60% de las líneas ensayadas resultaron con un comportamiento similar en todos los años de ensayo. Se determinó una correlación negativa entre la severidad y el PMG (r= -0.68), así como entre éste y el contenido de DON (r= -0.50). Por otro lado hubo una correlación positiva entre los niveles de severidad y el contenido de DON de las DH evaluadas (r= 0.71) indicando que la mayor biomasa fúngica condiciona el aumento de la toxina. El IF presentó asociación con los marcadores del cromosoma 4D, en tanto la variación del PMG resultó explicada por el cromosoma 5D y el FDK por el cromosoma 6D. En el presente trabajo se han identificado genes nóveles que podrán piramidalizarse a aquellos de mayor efecto (ubicado en 3BS) con el propósito de incrementar la tolerancia a la FET.