CEQUINOR   05415
CENTRO DE QUIMICA INORGANICA "DR. PEDRO J. AYMONINO"
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
ESTUDIO DEL CRECIMIENTO DE AGREGADOS PEQUEÑOS DE TIPO XnYm, X = B, Al; Y = N, P; n = 1-4 y m = 1-4 (n + m ≤5)
Lugar:
San Fernando del Valle de Catamarca
Reunión:
Jornada; Terceras Jornadas Universitarias de Ciencias Exactas y Naturales JUCEN Química 2010; 2010
Institución organizadora:
Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad Nacional de Catamarca
Resumen:
<!-- /* Style Definitions */ p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal {mso-style-parent:""; margin:0cm; margin-bottom:.0001pt; mso-pagination:widow-orphan; mso-hyphenate:none; font-size:12.0pt; font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-language:AR-SA;} @page Section1 {size:612.0pt 792.0pt; margin:70.85pt 3.0cm 70.85pt 3.0cm; mso-header-margin:36.0pt; mso-footer-margin:36.0pt; mso-paper-source:0;} div.Section1 {page:Section1;} --> Los elementos de los grupos III y V de la Tabla Periódica se combinan para formar materiales semiconductores de gran importancia científica y tecnológica. Estos materiales, llamados semiconductores III/V, tienen una importancia creciente debido a su potencial aplicación en la preparación de películas delgadas para dispositivos electrónicos. Por otro lado, el interés en el estudio de agregados binarios constituidos por elementos de los grupos III y V se basa en que la fabricación de películas delgadas para dispositivos electrónicos requiere un entendimiento profundo de las propiedades a nivel atómico. Uno de los aspectos más estudiados de estos sistemas es la evolución de su geometría y estructura electrónica en función de su tamaño. En este trabajo hemos investigado el crecimiento de agregados binarios de estequiometría XnYm, X = B, Al; Y = N, P; n = 1-4 y m = 1-4 con n + m ≤ 5. Fueron estudiados usando herramientas de la teoría del funcional de la densidad con el funcional híbrido de intercambio y correlación B3LYP y funciones base de calidad cc-pVTZ, siguiendo el camino de aumento de la energía de atomización por átomo, optimizando tanto estructuras como multiplicidades de espín. Propiedades estructurales y electrónicas, frecuencias armónicas, potenciales electrostáticos moleculares, cargas derivadas de potenciales electrostáticos y densidades de espín, se reportan para los agregados más estables encontrados.
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